臺積電在微細制程領(lǐng)域一直處于芯片制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，蘋果是其最重要的客戶。該公司早在去年 12 月就首次向蘋果展示了其 2nm 芯片工藝，試產(chǎn)是在量產(chǎn)之前對計劃使用的生產(chǎn)線工藝進行測試的階段。

早前的消息顯示，臺積電最新芯片技術(shù)的試生產(chǎn)預(yù)計最早要到 10 月才會開始。但現(xiàn)在，臺積電把2nm的試產(chǎn)提前到7 月份舉行，這是一個令人鼓舞的跡象。相關(guān)報道顯示，臺積電將于下周在位于臺灣北部新宿科學(xué)園區(qū)的寶山工廠生產(chǎn) 2nm 半導(dǎo)體。2nm生產(chǎn)設(shè)備已于第二季開始進駐寶山廠區(qū)并安裝完畢，第三季將進入試產(chǎn)階段，比市場對第四季的預(yù)期要早，被解讀為是為了在量產(chǎn)前加快步伐，確保良率穩(wěn)定。

值得一提的是，從相關(guān)報道看到，蘋果將包下臺積電首批的2nm全部產(chǎn)能。

據(jù)臺積電在官網(wǎng)中介紹，2nm技術(shù)采用該公司第一代納米片晶體管技術(shù)，在性能和功耗方面實現(xiàn)了全節(jié)點跨越。預(yù)計 2025 年實現(xiàn)量產(chǎn)。

臺積電表示，公司主要客戶已完成2nm IP設(shè)計并開始硅驗證，臺積電還開發(fā)出低阻值RDL（重新分布層）、超高性能金屬-絕緣體-金屬（MiM）電容器，以進一步提升性能。

臺積電 N2 技術(shù)將于 2025 年推出，無論是在密度還是在能效方面，它都將成為半導(dǎo)體行業(yè)最先進的技術(shù)。N2 技術(shù)采用領(lǐng)先的納米片晶體管結(jié)構(gòu)，將提供全節(jié)點性能和功率優(yōu)勢，以滿足日益增長的節(jié)能計算需求。憑借我們持續(xù)改進的戰(zhàn)略，N2 及其衍生產(chǎn)品將進一步擴大我們在未來的技術(shù)領(lǐng)先地位。

與 N3E 相比，臺積電預(yù)計 N2 將在相同功率下將性能提高 10% 至 15%，或在相同頻率和復(fù)雜度下將功耗降低 25% 至 30%。至于芯片密度，該代工廠正在考慮將密度提高 15%，以當代標準來看，這是一個很好的擴展程度。

根據(jù)臺積電在之前于北美舉辦技術(shù)峰會上的介紹，公司在2nm上會有 N2P和N2X等系列節(jié)點。其中N2P 將在 2026 年底接替 N2。同時，整個 N2 系列將增加臺積電的全新 NanoFlex 功能，該功能允許芯片設(shè)計人員混合和匹配來自不同庫的單元，以優(yōu)化性能、功率和面積 (PPA)。

N2 仍有望在電源方面實現(xiàn)一項重大創(chuàng)新：超高性能金屬-絕緣體-金屬 (SHPMIM：super-high-performance metal-insulator-metal) 電容器，這些電容器的加入是為了提高電源穩(wěn)定性。SHPMIM 電容器的容量密度是臺積電現(xiàn)有超高密度金屬-絕緣體-金屬 (SHDMIM) 電容器的兩倍多。此外，與上一代產(chǎn)品相比，新的 SHPMIM 電容器的薄層電阻 (Rs，單位為歐姆/平方) 和通孔電阻 (Rc) 降低了 50%。

最初，臺積電規(guī)劃是在寶山的Fab 20生產(chǎn)2nm。但后續(xù)，因為需求旺盛，臺積電一直在擴產(chǎn)2nm產(chǎn)能。

相關(guān)報道顯示，臺積電N2 第一年的新流片 (NTO) 數(shù)量是 N5 的兩倍多。臺積電高管在4月中的法說會中也指出，從客戶設(shè)計定案狀況來看，2nm需求更勝3nm、5nm等先進制程，且?guī)缀跛蠥I相關(guān)公司都有與臺積電合作，預(yù)期2025年將可望進入量產(chǎn)，屆時會是臺積電非常重要的生產(chǎn)節(jié)點，看好未來2nm的貢獻金額可望高于3nm制程。

臺積電指出，2nm制程的產(chǎn)品組合將與3nm相當類似，代表屆時仍以高效能運算（HPC）及智慧手機應(yīng)用等終端應(yīng)用為主。相關(guān)消息顯示，在 2nm 客戶端領(lǐng)域，蘋果仍處于領(lǐng)先地位，并將該技術(shù)用于旗艦智能手機。英特爾也表達了興趣，預(yù)計 AMD、NVIDIA 和聯(lián)發(fā)科也將效仿。

根據(jù)臺積電先前規(guī)劃，2nm廠區(qū)分別落在新竹寶山Fab 20的四座12吋晶圓廠，以及高雄三個廠區(qū)Fab 22，當中又以新竹寶山的Fab 20進度最快，可望成為臺積電最先量產(chǎn)2nm的廠區(qū)。

據(jù)集邦在年初援引業(yè)內(nèi)消息人士透露，臺積電2nm生產(chǎn)基地位于新竹科學(xué)園區(qū)及高雄，其中寶山二期將在第二季度開始投產(chǎn)，年底將建立一條“微型產(chǎn)線”，預(yù)計在2025年第四季度開始量產(chǎn)，初期月產(chǎn)能約為3萬至3.5萬片晶圓。同時，高雄工廠預(yù)計將提前于原計劃在年底開始設(shè)備安裝，目標是在 2026 年上半年實現(xiàn)量產(chǎn)，初始月產(chǎn)能計劃與寶山的 30,000 至 35,000 片晶圓相似。

同一消息來源還表示，寶山和高雄工廠正式量產(chǎn)后，將進入產(chǎn)能提升階段，目標是到 2027 年實現(xiàn)每月約 11 萬至 12 萬片晶圓的綜合產(chǎn)能。兩座晶圓廠將生產(chǎn)第一代 2nm 和采用背面電源軌技術(shù)的第二代 N2P。下一代 1.4nm（A14）預(yù)計將于 2027 年下半年投產(chǎn)，可能位于臺中。

近日，又有業(yè)界消息傳出，因持續(xù)加碼2nm等最先進制程相關(guān)研發(fā)加上2nm后續(xù)需求超乎預(yù)期強勁，產(chǎn)能將導(dǎo)入南科，臺積電2025年資本支出可望達320億美元至360億美元區(qū)間，為歷年次高，年增12.5%至14.3%。消息強調(diào)，臺積電2nm客戶群需求超乎預(yù)期強勁，相關(guān)擴充產(chǎn)能規(guī)劃也傳將導(dǎo)入南科，以制程升級挪出空間。除了蘋果先前率先包下臺積電2nm首批產(chǎn)能，非蘋應(yīng)用客戶也因AI蓬勃發(fā)展而積極規(guī)劃采用。

業(yè)界表示，臺積電2nm產(chǎn)能建置估計全臺，包含竹科寶山可蓋四期、高雄二期，南科相關(guān)規(guī)劃若成真，估將有助2nm家族沖刺達至少八期八個廠的產(chǎn)能。

此外，臺積電正在美國建設(shè)三個工廠 ，第二座晶圓廠除了之前宣布的 3nm 技術(shù)外，還將采用下一代納米片晶體管生產(chǎn)世界上最先進的 2nm 工藝技術(shù)，并將于 2028 年開始生產(chǎn)。第三座晶圓廠將采用 2nm 或更先進的工藝生產(chǎn)芯片，并將于 2020 年底開始生產(chǎn)。與臺積電所有先進的晶圓廠一樣，這三座晶圓廠的潔凈室面積都將約為行業(yè)標準邏輯晶圓廠的兩倍。